| 退火对硫化方法制备ZnS薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 张仁刚,卓雯,王玉华,彭顺金,陈克亮,徐千山.退火对硫化方法制备ZnS薄膜特性的影响[J].人工晶体学报,2013,42(6):1154-1158. |
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| 作者姓名： | 张仁刚 卓雯 王玉华 彭顺金 陈克亮 徐千山 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学应用物理系,武汉,430081 |
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| 基金项目： | 湖北省教育厅科研计划重点项目(D20121109);武汉科技大学绿色制造与节能减排科技研究中心开放基金(B1220) |
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| 摘 要： | 以反应磁控溅射方法沉积ZnO薄膜,然后在空气和H2S气氛中退火制备了六方相ZnS薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见透射光谱和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行表征.提高空气退火温度能够改善ZnS薄膜结晶性,而空气退火温度超过500℃则会降低ZnS薄膜结晶性.另外,当硫化退火温度低于400℃时,ZnO只能部分转变为ZnS,只有硫化温度等于或大于400℃时,ZnO才能全部转变为ZnS.硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化.所得ZnS薄膜在可见光范围的透过率约为80;,带隙为3.61 ～3.70 eV.
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| 关 键 词： | ZnS薄膜 溅射 空气退火 硫化 |
Influence of Annealing on the Properties of ZnS Thin Films Prepared by Sulfidation |
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| ZHANG Ren-gang,ZHUO Wen,WANG Yu-hua,PENG Shun-jin,CHEN Ke-liang,XU Qian-shan.Influence of Annealing on the Properties of ZnS Thin Films Prepared by Sulfidation[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(6):1154-1158. |
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| Authors: | ZHANG Ren-gang ZHUO Wen WANG Yu-hua PENG Shun-jin CHEN Ke-liang XU Qian-shan |
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