| 衬底对宽带隙CGS薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 赵彦民,肖温,李微,杨立,乔在祥,陈贵锋. 衬底对宽带隙CGS薄膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(12): 2572-2575 |
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| 作者姓名： | 赵彦民 肖温 李微 杨立 乔在祥 陈贵锋 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室,天津,300384;河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA050701) |
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| 摘 要： | 分别在Al∶ ZnO(ZAO)薄膜和Mo薄膜两种不同衬底材料上,采用“三步法”共蒸发工艺沉积了约0.8 μm厚的CuGaSe2(CGS)薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究不同衬底材料对CGS薄膜的影响.在ZAO薄膜底电极上沉积的CGS薄膜的(112)衍射峰强度较Mo薄膜底电极上减弱,(220/204)衍射峰反而增强.
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| 关 键 词： | 宽带隙 铜镓硒 共蒸发 衬底, |
Influence of Substrates on the Wide Band Gap CGS Thin Films |
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| ZHAO Yan-min,XIAO Wen,LI Wei,YANG Li,QIAO Zai-xiang,CHEN Gui-feng. Influence of Substrates on the Wide Band Gap CGS Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(12): 2572-2575 |
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| Authors: | ZHAO Yan-min XIAO Wen LI Wei YANG Li QIAO Zai-xiang CHEN Gui-feng |
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