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ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用
引用本文:刘欣,胡礼中,张贺秋,邱宇,赵宇,骆英民.ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用[J].人工晶体学报,2013,42(9):1746-1749.
作者姓名:刘欣  胡礼中  张贺秋  邱宇  赵宇  骆英民
作者单位:大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024
基金项目:国家自然科学基金(60777009);辽宁省教育厅重点实验室开放基金项目(20060131);教育部博士点基金(20070141038);大连理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助(DUT11LK46)
摘    要:利用化学气相沉积(CVD)方法生长出一种新颖的氧化锌(ZnO)微米刺球状结构,并使用该结构制备出一种新型压电应力传感器件.使用半导体特性分析系统(Keithley 4200)对器件特性进行测试,结果表明该种器件对所施加的应力高度敏感,开关比高达约60,比目前多数ZnO基压电应力传感器件高出数倍,在应力检测和机电开关等领域有很好的应用前景.

关 键 词:氧化锌  微米刺球  化学气相沉积  压电应力传感器  开关比  

Application of ZnO Micro-thornyball Prepared by CVD Method in Piezoelectric Strain Sensor
LIU Xin,HU Li-zhong,ZHANG He-qiu,QIU Yu,ZHAO Yu,LUO Ying-min.Application of ZnO Micro-thornyball Prepared by CVD Method in Piezoelectric Strain Sensor[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(9):1746-1749.
Authors:LIU Xin  HU Li-zhong  ZHANG He-qiu  QIU Yu  ZHAO Yu  LUO Ying-min
Abstract:
Keywords:
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