| 镶嵌在SiO2基体中SiC纳米晶的紫外光致发光 |
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| 引用本文： | 卢赛,王茺,王文杰,杨宇. 镶嵌在SiO2基体中SiC纳米晶的紫外光致发光[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(7): 1330-1335 |
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| 作者姓名： | 卢赛 王茺 王文杰 杨宇 |
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| 作者单位： | 云南大学光电信息材料研究所,昆明,650091 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10964016,10990103,11274266);教育部科学技术重点项目(210207);云南大学校级理工基金项目(2012CG008) |
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| 摘 要： | 将剂量为2×1016 cm-2的C+以60 keV的能量注入到SiO2薄膜中并进行了退火处理.从样品的室温光致发光(PL)光谱中观察到六个PL峰,其峰位分别处于2.601 eV、2.857 eV、3.085 eV、3.249 eV、3.513 eV和3.751 eV.其中3.249 eV处的PL峰与4H-SiC有关.而对于尚未见报道的3.751 eV处PL峰,进行了红外吸收和荧光激发(PLE)测试:在PLE谱4.429 eV处显示出一个对应于3.751 eV处的激发峰.在红外吸收谱上证实0.205 eV(1650cm-1)处的吸收峰与3.751 eV处发光峰的起源相关,从而推断在3.751 eV处的PL峰应起源于氧空位缺陷.
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| 关 键 词： | SiC纳米晶 SiO2薄膜 氧空位, |
Ultraviolet Photoluminescence of SiC Nanocrystal Embedded in Silica Wafers |
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| LU Sai,WANG Chong,WANG Wen-jie,YANG Yu. Ultraviolet Photoluminescence of SiC Nanocrystal Embedded in Silica Wafers[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(7): 1330-1335 |
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| Authors: | LU Sai WANG Chong WANG Wen-jie YANG Yu |
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| Abstract: | |
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