| 四甲基硅烷流量对硬质合金表面沉积的SiC涂层的影响 |
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| 引用本文： | 黑鸿君,于盛旺,刘艳青,丁明辉,李义锋,唐伟忠.四甲基硅烷流量对硬质合金表面沉积的SiC涂层的影响[J].人工晶体学报,2013,42(3):402-407. |
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| 作者姓名： | 黑鸿君 于盛旺 刘艳青 丁明辉 李义锋 唐伟忠 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;太原理工大学表面工程研究所,太原,030024 |
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| 摘 要： | 采用强电流直流伸展电弧化学气相沉积(HCDCA CVD)技术,在Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)先驱体组成的混合气体气氛下,在YG6硬质合金衬底表面沉积了SiC涂层.本文对不同TMS流量条件下制备的SiC涂层的沉积速率、表面形貌、化学成分、物相组成以及附着力进行了对比研究.在此基础上,实验选取表面连续致密且附着力良好的SiC涂层作为过渡层进行了金刚石涂层的沉积,并对金刚石涂层的形貌、质量以及附着力进行了表征.实验发现.随着TMS流量的增加,SiC涂层的沉积速率加快,连续和致密性逐渐改善,但其附着力明显降低.连续致密且附着力良好的SiC涂层作为过渡层,可以有效地抑制硬质合金中Co的扩散,消除Co在金刚石涂层沉积过程中的不利影响,获得附着力良好的纳米金刚石涂层.
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| 关 键 词： | HCDCACVD SiC过渡层 金刚石涂层 附着力 |
Influence of TMS Flow Rate on SiC Films Deposited on Cemented Carbide Substrates |
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| HEI Hong-jun,YU Sheng-wang,LIU Yan-qing,DING Ming-hui,LI Yi-feng,TANG Wei-zhong.Influence of TMS Flow Rate on SiC Films Deposited on Cemented Carbide Substrates[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(3):402-407. |
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| Authors: | HEI Hong-jun YU Sheng-wang LIU Yan-qing DING Ming-hui LI Yi-feng TANG Wei-zhong |
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