| 真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究 |
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| 引用本文： | 闫小兵,张二鹏,贾长江,史守山,娄建忠,刘保亭. 真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(11): 2304-2308 |
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| 作者姓名： | 闫小兵 张二鹏 贾长江 史守山 娄建忠 刘保亭 |
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| 作者单位： | 河北大学电子信息工程学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61306098,11074063);河北省自然科学基金(E2012201088、E2013201176);河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019);河北大学自然科学基金(2011-219)(11074066) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜,并对该薄膜进行了真空退火.研究了不同退火温度对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在300℃至500℃退火温度范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着退火温度的增加,薄膜的电阻率先减小后增大.透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500～ 800 nm可见光区平均透过率超过80;,且在350 nm附近表现出较强的紫外吸收特性.经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小,350 ℃最大达到3.91 eV.
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| 关 键 词： | In-Ga-Zn-O薄膜 退火温度 磁控溅射 光学带隙, |
Effect of Vacuum Annealing Temperature on the Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering |
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| YAN Xiao-bing,ZHANG Er-peng,JIA Chang-jiang,SHI Shou-shan,LOU Jian-zhong,LIU Bao-ting. Effect of Vacuum Annealing Temperature on the Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(11): 2304-2308 |
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| Authors: | YAN Xiao-bing ZHANG Er-peng JIA Chang-jiang SHI Shou-shan LOU Jian-zhong LIU Bao-ting |
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