| 低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯 |
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| 引用本文： | 孙雷,沈鸿烈,李金泽,吴天如,丁古巧,朱云,谢晓明.低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯[J].人工晶体学报,2013,42(12):2589-2594. |
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| 作者姓名： | 孙雷 沈鸿烈 李金泽 吴天如 丁古巧 朱云 谢晓明 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,211100;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61176062);江苏优势学科建设工程项目;信息功能材料国家重点实验室开放课题 |
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| 摘 要： | 以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果.用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征.结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,“表面催化”型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;“溶解析出”型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨“块”;金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱.
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| 关 键 词： | 石墨烯 Cu-In合金 化学气相沉积 |
Growth of Graphene on Low Melting Point Alloy Substrates by Chemical Vapor Deposition |
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| SUN Lei,SHEN Hong-lie,LI Jin-ze,WU Tian-ru,DING Gu-qiao,ZHU Yun,XIE Xiao-ming.Growth of Graphene on Low Melting Point Alloy Substrates by Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(12):2589-2594. |
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| Authors: | SUN Lei SHEN Hong-lie LI Jin-ze WU Tian-ru DING Gu-qiao ZHU Yun XIE Xiao-ming |
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