首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

光学浮区法生长Si∶β-Ga2O3单晶及其光谱研究
作者姓名:王璐璐  夏长泰  赛青林  狄聚青  牟菲
作者单位:中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
基金项目:江苏省高校优势学科建设工程资助项目;国家自然科学基金(51075211,51275230);教育部博士点基金(20113218110018);南京航空航天大学研究生创新基金(kfjj20110226)
摘    要:采用浮区法生长了质量较好的Si∶β-Ga2O3单晶,直径约为8mm,长度约为2 cm.进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si∶β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3格位中;在室温下测试了Si∶β-Ga2O3吸收光谱,吸收截止边约为255 nm,并分析了退火对吸收截止边的影响;测试了荧光发射谱,研究了不同激发波长对其紫外及紫色波段发光的影响.

关 键 词:Si∶β-Ga2O3  浮区法  光谱,
点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号