| 光学浮区法生长Si∶β-Ga2O3单晶及其光谱研究 |
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| 引用本文： | 王璐璐,夏长泰,赛青林,狄聚青,牟菲.光学浮区法生长Si∶β-Ga2O3单晶及其光谱研究[J].人工晶体学报,2013,42(4):607-610. |
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| 作者姓名： | 王璐璐 夏长泰 赛青林 狄聚青 牟菲 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 江苏省高校优势学科建设工程资助项目;国家自然科学基金(51075211,51275230);教育部博士点基金(20113218110018);南京航空航天大学研究生创新基金(kfjj20110226) |
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| 摘 要： | 采用浮区法生长了质量较好的Si∶β-Ga2O3单晶,直径约为8mm,长度约为2 cm.进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si∶β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3格位中；在室温下测试了Si∶β-Ga2O3吸收光谱,吸收截止边约为255 nm,并分析了退火对吸收截止边的影响；测试了荧光发射谱,研究了不同激发波长对其紫外及紫色波段发光的影响.
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| 关 键 词： | Si∶β-Ga2O3 浮区法 光谱 |
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