| 高质量单晶In2Ge2O7纳米带的合成和生长机制探究 |
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| 引用本文： | 马新志,张佳音,刘欣,温静,高琼,李凯,牟洪臣. 高质量单晶In2Ge2O7纳米带的合成和生长机制探究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(12): 2568-2571 |
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| 作者姓名： | 马新志 张佳音 刘欣 温静 高琼 李凯 牟洪臣 |
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| 作者单位： | 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院,光电带隙材料省部共建教育部重点实验室,哈尔滨150025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51172058,11074060);黑龙江省自然科学基金重点项目(ZD201112);高等学校博士点基金联合资助项目(20112329110001);黑龙江省研究生创新科研项目(YJSCX2012-186HLJ,YJSCX2012-187HLJ) |
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| 摘 要： | 采用CVD法成功合成了高质量单晶In2 Ge2 O7纳米带,采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像以及X射线衍射(XRD),能谱元素分布图像等对产物进行了表征.结果表明,生长的纳米带长几十微米、厚度50 nm,几乎没有缺陷且In,Ge,O元素分布均匀.此外,基于热力学原理对单晶纳米带的生长机制进行了讨论.
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| 关 键 词： | In2Ge2O7 纳米带 合成 生长机制, |
Synthesis and Growth Mechanism of High Quality Single Crystal In2Ge2O7 Nanobelts |
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| MA Xin-zhi,ZHANG Jia-yin,LIU Xin,WEN Jing,GAO Qiong,LI Kai,MU Hong-chen. Synthesis and Growth Mechanism of High Quality Single Crystal In2Ge2O7 Nanobelts[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(12): 2568-2571 |
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| Authors: | MA Xin-zhi ZHANG Jia-yin LIU Xin WEN Jing GAO Qiong LI Kai MU Hong-chen |
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| Keywords: | |
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