首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

193 nm深紫外光刻胶用成膜树脂的研究进展
引用本文:魏孜博,马文超,邱迎昕.193 nm深紫外光刻胶用成膜树脂的研究进展[J].影像科学与光化学,2020(3):409-415.
作者姓名:魏孜博  马文超  邱迎昕
作者单位:中国石油化工股份有限公司北京化工研究院燕山分院;橡塑新型材料合成国家工程研究中心
基金项目:中石化总部项目(G3365-2019-Z1912)资助。
摘    要:本文综述了用于193 nm深紫外光刻胶的主体成膜树脂的种类及常用合成单体的研究进展,包括聚(甲基)丙烯酸酯体系、环烯烃-马来酸酐共聚物(COMA)体系、乙烯醚-马来酸酐共聚物(VEMA)体系、降冰片烯加成聚合物体系、环化聚合物体系、有机-无机杂化树脂体系以及光致产酸剂(PAG)接枝聚合物主链型等,并分析了目前关于曝光、分辨率和抗蚀刻性能方面存在的问题及未来的发展方向。

关 键 词:光刻胶  成膜树脂  曝光  分辨率  抗蚀刻性能

Development of Matrix Resins for 193 nm Deep UV Photoresist
WEI Zibo,MA Wenchao,QIU Yingxin.Development of Matrix Resins for 193 nm Deep UV Photoresist[J].Imaging Science and Photochemistry,2020(3):409-415.
Authors:WEI Zibo  MA Wenchao  QIU Yingxin
Institution:(Yanshan Branch,Sinopec BRICI,Beijing 102500,P.R.China;Rubber and Plastic Synthesis National Engineering Research Center,Beijing 102500,P.R.China)
Abstract:The research progress of the main matrix resins and common synthetic monomers for 193 nm deep UV photoresist was reviewed.The film-forming resin includes poly(methyl)acrylate,cycloolefin-maleic anhydride(COMA),ethylene ether-maleic anhydride(VEMA),norborneene addendum polymer,cyclized polymer,organic-inorganic hybrid resin,and PAG graft on polymer backbone.The existing problems about exposure,resolution and etch resistance and the future development direction were also discussed.
Keywords:photoresist  matrix resin  exposure  resolution  etch resistance
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号