| 纯红荧烯器件中极化子对的系间窜越与高能三重态激子的反向系间窜越过程“消失”的原因 |
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| 引用本文： | 王辉耀,宁亚茹,吴凤娇,赵茜,陈敬,朱洪强,魏福贤,吴雨廷,熊祖洪.纯红荧烯器件中极化子对的系间窜越与高能三重态激子的反向系间窜越过程“消失”的原因[J].物理学报,2022(21):310-320. |
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| 作者姓名： | 王辉耀 宁亚茹 吴凤娇 赵茜 陈敬 朱洪强 魏福贤 吴雨廷 熊祖洪 |
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| 作者单位： | 1. 西南大学物理科学与技术学院微纳结构光电子学重庆市重点实验室;2. 重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:12104076,11874305)；;重庆自然科学基金(批准号:cstc2019jcyj-msxmX0560)； |
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| 摘 要： | 有机发光二极管(OLEDs)中电致发光磁效应(MEL)是一种能够揭示多种激发态微观过程的探测工具.最新研究成果(Tang X T, Pan R H, Zhao X, Jia W Y, Wang Y, Ma C H 2020 Adv. Funct. Mater. 5 765)表明:将低浓度的红荧烯(Rubrene)分子掺杂在一定主体作为发光层的OLEDs中,存在一种高能三重态激子(T2,Rub)的反向系间窜越过程(HL-RISC, S1,Rub←T2,Rub).但本文发现:以Rubrene作为纯发光层且其两边的载流子传输层也不存在T2,Rub激子的能量损失通道的OLEDs中,在室温下只观察到单重态激子(S1)的分裂过程(S1+S0→T1+T1),却没能观察到该T2,Rub激子的HL-RISC过程;而且,最基本的因电子和空穴在纯Rubrene发光层中直接注入形成极化子对(polaron-pair...
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| 关 键 词： | 红荧烯 磁电致发光 系间窜越 高能态反向系间窜越 |
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