| 基于制备成功率和量子效率提升的Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极 |
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| 引用本文： | 李旭东,姜增公,顾强,张猛,林国强,赵明华,郭力.基于制备成功率和量子效率提升的Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极[J].物理学报,2022(17):408-415. |
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| 作者姓名： | 李旭东 姜增公 顾强 张猛 林国强 赵明华 郭力 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海高等研究院;2. 中国科学院上海应用物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11905276,12075302)；;上海市自然科学基金(批准号:22ZR1470300)； |
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| 摘 要： | 为制备产生高品质电子源的高量子效率半导体Cs-Te光阴极,基于INFN-LASA的Cs-Te光阴极制备方法,发展一套Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极的方法.在SINAP和SARI的光阴极制装置上制备的Cs-Te光阴极,波长265 nm紫外光照射下,量子效率大于5%,并且制备成功率达到100%.只要制备腔室真空好于10-8 Pa,这套制备方法就能制备高量子效率的Cs-Te光阴极,且不因制备装置和操作人员的改变而改变.
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| 关 键 词： | 光阴极 Te断续 Cs持续沉积 量子效率 |
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