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| 应用于负电源的电平位移电路及器件设计 | |
| 引用本文： | 傅达平,王猛,胡曦,庄翔,赵远远.应用于负电源的电平位移电路及器件设计[J].电子元器件应用,2011(7):32-36. |
| 作者姓名： | 傅达平 王猛 胡曦 庄翔 赵远远 |
| 作者单位： | 电子科技大学功率集成技术实验室; |
| 摘 要： | 本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理,并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计。 |
| 关 键 词： | 电平位移 薄膜SOI LDMOS 负电源 开态击穿电压 |
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