| GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计 |
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| 引用本文： | 吴海峰,翟宪振,罗向东.GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计[J].电子器件,2013,36(5). |
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| 作者姓名： | 吴海峰 翟宪振 罗向东 |
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| 摘 要： | 基于GaN基APD（雪崩二极管）日盲紫外探测器工作原理，我们设计了GaN-APD日盲紫外探测器的读出电路(ROIC)。考虑到GaN-APD日盲紫外探测器的特性，我们重点研究了80V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA运放电路的电流偏置电路和带隙基准电路。在此基础上，我们设计了1×8的电路并进行了仿真验证，读出电路耐高压不小于80V，当积分电容为4pF,积分时间为25us,时钟频率为100KHz的时候,电路的电荷存储能力为5.6×107个,输出电压摆幅在0～2.25V，读出电路的输出电压线性度不低于99%。
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| 关 键 词： | 紫外探测 读出电路 线性模式 雪崩二极管 |
ROIC Design for visible-blind ultraviolet GaN APD |
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