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| Ⅳ族元素与Ⅲ-Ⅴ族化合物中浅受主的能谱 | |
| 作者姓名： | A.Baldereschi N.O.Lipari |
| 作者单位： | 瑞士应用物理实验室 (A.Baldereschi)，美国Xerox研究实验室(N.O.Lipari) |
| 摘 要： | 研究纯净半导体的边缘发光光谱能提供有关浅杂质能级的详细资料,以补充和完善从红外杂质吸收测量得到的资料。研究自由电子到受主的跃迁和施主受主对谱带可以得到浅受主离化能的精确数值。研究束缚激子发光中的“双空穴”(two-hole)跃迁可得到受主激发态的精确能级。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |