| 一种新型汞离子选择薄膜传感器 |
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| 引用本文： | 门洪,邹绍芳,Andrey Legin,王平.一种新型汞离子选择薄膜传感器[J].分析化学,2005,33(3):428-431. |
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| 作者姓名： | 门洪 邹绍芳 Andrey Legin 王平 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学生物医学工程与仪器科学学院生物传感器国家专业实验室,生物医学工程教育部重点实验室,杭州,310027
2. Chemistry Department. St. Petersburg University, St. Petersburg, 199034, Russia |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积技术,在光寻址电位传感器表面上沉积了对二价汞离子敏感的薄膜,制备了一种新型汞离子选择薄膜传感器,靶材成分为HgAgIS,基底为p型单晶硅片,金属接触层为Cr/Au。该薄膜传感器在3星期内显示了良好的重复性和稳定性;检出限为3×10-6mol/L;响应时间小于2min,适用pH范围小于2。对干扰离子和迟滞效应等也进行了研究。该传感器具有测量快速灵活、所需样品少、动态范围宽等特点,因为把电位信号转化为对光激发的交流电流信号进行测量,所以提高了灵敏度。同时也证明了脉冲激光沉积是适合制备薄膜传感器的一种新技术。
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| 关 键 词： | 薄膜传感器 光寻址电位传感器 脉冲激光沉积 汞离子敏感 |
A Novel Mercury Ion Selective Thin Film Sensor |
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| Men Hong,Zou Shaofang,Andrey Legin,Wang Ping.A Novel Mercury Ion Selective Thin Film Sensor[J].Chinese Journal of Analytical Chemistry,2005,33(3):428-431. |
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| Authors: | Men Hong Zou Shaofang Andrey Legin Wang Ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Thin film sensor light-addressable potentiometric sensors pulsed laser deposition mercury ion |
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