| Ga掺杂ZnO的电子结构与电性能的研究 |
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| 引用本文： | 蒋志年,张飞鹏,张忻,路清梅,张久兴.Ga掺杂ZnO的电子结构与电性能的研究[J].原子与分子物理学报,2015,32(2):303-307. |
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| 作者姓名： | 蒋志年 张飞鹏 张忻 路清梅 张久兴 |
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| 作者单位： | 广西民族师范学院,河南城建学院，北京工业大学 |
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| 摘 要： | 采用密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法研究了n型Ga掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的晶格结构、能带结构和态密度,在此基础上分析了其电性能.计算结果表明,掺杂ZnO氧化物晶格a,b轴增大,c轴略有减小;Ga掺杂ZnO氧化物两能带之间具有0.6eV的直接带隙,需要载流子(电子)跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小;掺杂体系费米能级附近的态密度大大提高,其能带主要由Gas态、Zns态和Os态电子构成,且他们之间存在着强相互作用,其中Gas态电子对导带贡献最大.电输运性能分析结果表明,Ga掺杂ZnO氧化物导电机构由Znp-Op电子在价带与导带的跃迁转变为Gas-Znd-Os电子在价带与导带的跃迁,这也表明Gas态电子在导电过程中的重要作用;掺杂体系费米能级附近的载流子有效质量较未掺杂体系增大,且价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小.
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| 关 键 词： | ZnO氧化物 Ga掺杂 电子结构 电输运性能 |
Research on Electronic Structure and Electrical Properties of Ga Doped ZnO |
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| Jiang ZN and Zhang FP.Research on Electronic Structure and Electrical Properties of Ga Doped ZnO[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2015,32(2):303-307. |
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| Authors: | Jiang ZN and Zhang FP |
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| Institution: | Guangxi Normal University for Nationalities, |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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