| 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性 |
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| 引用本文： | 周江,李卫,张贤高,徐骏,徐岭,李伟,陈坤基.利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性[J].发光学报,2008,29(3). |
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| 作者姓名： | 周江 李卫 张贤高 徐骏 徐岭 李伟 陈坤基 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术,制备了单晶硅纳米阵列,利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌,实验结果表明,硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性。同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性。为了提高样品的场发射性能,在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜。与单晶纳米硅柱阵列相比,覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善,表现在场发射的开启电场下降,同时场发射增强因子得到增加。结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒,从而增强了场电子发射特性。
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| 关 键 词： | 纳米硅阵列 场发射 非晶碳 |
Electron Field Emission Characteristics from Single-crystal Silicon Nanoarrays Fabricated by Direct Lithography with Nanosphere Mask |
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| ZHOU Jiang,LI Wei,ZHANG Xian-gao,XU Jun,XU Ling,LI Wei,CHEN Kun-ji.Electron Field Emission Characteristics from Single-crystal Silicon Nanoarrays Fabricated by Direct Lithography with Nanosphere Mask[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(3). |
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| Authors: | ZHOU Jiang LI Wei ZHANG Xian-gao XU Jun XU Ling LI Wei CHEN Kun-ji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon nanoarrays field emission amorphous carbon |
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