| 电沉积WO_3薄膜及其光电性能的表征 |
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| 引用本文： | 郝金玲,姜春萍,张艳辉,杨鑫,康洪,陈金伟,练晓娟,刘尚军,王瑞林.电沉积WO_3薄膜及其光电性能的表征[J].化学研究与应用,2010,22(5). |
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| 作者姓名： | 郝金玲 姜春萍 张艳辉 杨鑫 康洪 陈金伟 练晓娟 刘尚军 王瑞林 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610065 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，教育部科技创新工程重大项目培育基金，高等学校博士学科点专项科研基金，成都市科技局攻关计划项目 |
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| 摘 要： | 本文采用电化学法制备了均匀、附着力强的WO3薄膜,研究了不同沉积电位和不同的沉积时间对薄膜的光电性能影响,并使用了XRD,UV-vis,M-S,光电流光谱(IPCE)等分析表征手段对薄膜进行了表征。实验结果表明,所制得的WO3薄膜为单斜晶系,退火后沿(200)晶面择优生长;对比所有沉积电位,-0.45 V沉积电位(vs.SCE)所获得的WO3薄膜均匀致密,薄膜的带边在460 nm(≈2.7 eV),其光电转换性能最好;在实验范围内薄膜越厚,其光电转换性能越好。
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| 关 键 词： | 氧化钨薄膜 电沉积 光催化分解水 光电流光谱(IPCE) |
Electro-deposition and characterization of photoelectrochemical properties of WO3 thin films |
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| HAO Jin-ling,JIANG Chun-ping,ZHANG Yan-hui,YANG Xin,KANG Hong,CHEN Jin-wei,LIAN Xiao-juan,LIU Shang-jun,WANG Rui-lin.Electro-deposition and characterization of photoelectrochemical properties of WO3 thin films[J].Chemical Research and Application,2010,22(5). |
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| Authors: | HAO Jin-ling JIANG Chun-ping ZHANG Yan-hui YANG Xin KANG Hong CHEN Jin-wei LIAN Xiao-juan LIU Shang-jun WANG Rui-lin |
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