|
|||||
|
|
| 封面故事 | |
| 摘 要： | 正本期封面反映的是中国科学院物理研究所科研团队基于磁电耦合忆耦器实现神经突触可塑性的模拟,图中示意了该忆耦器的三明治结构和工作原理,相应的研究结果发表于Advanced Materials Memtranstors.Adv.Mater.,2018,30:1706717)。忆耦器是一种基于非线性磁电耦合效应的记忆元件(memelement),由我国科学家在2015年提出,可用于实现新型低能耗非易失信息存储器。该项工作进一步拓展 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||
|
||||||||
|
||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |