|
|||||
|
|
| Si1-XGeX/Si红外光电探测器 | |
| 引用本文： | 江若琏,罗志云.Si1-XGeX/Si红外光电探测器[J].光电子．激光,2000,11(1):17-19. |
| 作者姓名： | 江若琏 罗志云 |
| 基金项目： | 新材料领域项目，中国科学院资助项目 |
| 摘 要： | 本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ型红外探测器。其波长范围为０．７０～１．５５μｍ，峰值波长为０．９６～１．０６μｍ，暗电流密度低达０．０３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ），在１．３μｍ处的响应度高达０．１５Ａ／Ｗ（－５Ｖ）；讨论了Ｇｅ组分、外延层厚度、偏置电压等对探测器参数的影响。 |
| 关 键 词： | 光电探测器 锗化硅合金 红外探测器 |
| 修稿时间： | 1999-09-09 |
Si1-XGeX/Si Infrared Photodetectors |
|
| JIANG Ruo-lian,LUO Zhi-yun,CHEN Wei-min,ZANG Lan,ZHU Shun-ming,LIU Xia-bing,CHENG Xue-mei,CHEN Zhi-zhong,HAN Ping,WANG Rong-hua,ZHENG You-dou.Si1-XGeX/Si Infrared Photodetectors[J].Journal of Optoelectronics·laser,2000,11(1):17-19. | |
| Authors: | JIANG Ruo-lian LUO Zhi-yun CHEN Wei-min ZANG Lan ZHU Shun-ming LIU Xia-bing CHENG Xue-mei CHEN Zhi-zhong HAN Ping WANG Rong-hua ZHENG You-dou |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《光电子．激光》下载免费的PDF全文 | |