| Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系 |
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| 引用本文： | 朱军山,徐岳生,郭宝平,刘彩池,冯玉春,胡加辉.Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系[J].半导体学报,2005,26(8):1577-1581. |
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| 作者姓名： | 朱军山 徐岳生 郭宝平 刘彩池 冯玉春 胡加辉 |
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| 作者单位： | 河北工业大学材料学院，河北工业大学材料学院，深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室，河北工业大学材料学院，深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室，深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室 天津300130深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室，深圳518060，天津300130，深圳518060，天津300130，深圳518060，深圳518060 |
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| 基金项目： | 广东省关键领域重点突破项目 |
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| 摘 要： | 利用LP-MOCVD技术在Si（111）衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜．采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）技术和扫描电子显微镜（SEM）分析这些样品，比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响，并提出利用动力学模型解释这种温度的影响．进一步解释了GaN外延层表面形貌中“凹坑”的形成及“凹坑”与缓冲层生长温度的关系．结果表明，温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌．
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| 关 键 词： | MOCVD GaN 缓冲层 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）08-1577-05 |
| 收稿时间： | 2004-11-02 |
| 修稿时间： | 2005-02-02 |
Relation Between Morphology of GaN on an Si(111) and AlN Buffer Layer Grown Temperature |
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| Zhu Junshan,Xu Yuesheng,Guo Baoping,Liu Caichi,Feng Yuchun,Hu Jiahui.Relation Between Morphology of GaN on an Si(111) and AlN Buffer Layer Grown Temperature[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(8):1577-1581. |
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| Authors: | Zhu Junshan Xu Yuesheng Guo Baoping Liu Caichi Feng Yuchun Hu Jiahui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN MOCVD buffer layer |
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