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| Ge/Si(113)-(2×2)表面:自间隙原子引起的结构特征 | |
| 引用本文： | 张朝晖,住友弘二,中村淳.Ge/Si(113)-(2×2)表面:自间隙原子引起的结构特征[J].物理,2004,33(10):708-712. |
| 作者姓名： | 张朝晖 住友弘二 中村淳 |
| 作者单位： | 1. 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871 2. 物性科学基础研究所,日本电信电话株式会社,神奈川县厚木市,243-0198,日本 3. 电信大学电气工程系,东京,182-8585,日本 |
| 摘 要： | 基于对Ge在Si(113)上外延生长的扫描隧道显微学观察和第一性原理总能量和能带的计算 ,作者确定了Ge/Si(113) (2× 2 )表面的结构 .它是由沿 1- 10 ]方向的反键增原子列和倾斜五聚体列交替排列而成 .其中五聚体的形成是由于处于亚表面的自间隙原子的作用 .这一发现说明自间隙原子的存在是 (113)取向表面的固有属性 |
| 关 键 词： | Ge/Si(113)(2×2)表面 外延生长 自间隙原子 |
| 修稿时间： | 2004年5月8日 |
Ge/Si(113)-(2×2) surfaces:Structural features induced by self-interstitial atoms |
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