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单片双波长输出垂直外腔面发射激光器EI北大核心CSCD
引用本文:张志军,陈贺,张建伟,张继业,张卓,周娜,韩召,李文义,冯暖,宁永强,王立军.单片双波长输出垂直外腔面发射激光器EI北大核心CSCD[J].发光学报,2022(8):1266-1272.
作者姓名:张志军  陈贺  张建伟  张继业  张卓  周娜  韩召  李文义  冯暖  宁永强  王立军
作者单位:1.辽宁科技学院电气与信息工程学院机器人工程系117004;2.华晨宝马汽车有限公司110000;3.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室130033;4.中国科学院大学材料科学与光电技术学院100049;
基金项目:辽宁省教育厅科技发展计划(L2019lkyqn-01);营口市企业博士双创计划(20211218);国家自然科学基金(61874117)资助项目。
摘    要:报道了利用垂直外腔面发射激光器(Vertical external cavity surface emitting laser,VECSEL)的增益谱与腔模的大失配设计实现VECSEL双波长同时激射的方法,设计了稳定的振荡腔结构,理论预测了这种VECSEL的三种工作状态并进行了实验验证。随着VECSEL泵浦功率增加,增益芯片内部工作温度逐步升高,VECSEL依次出现带边波长激射、双波长激射及腔模波长激射三种工作状态。最初VECSEL的激射波长位于带边模式决定的激光波长(952.7 nm),随着泵浦功率增加,增益芯片热效应增强,腔模波长与带边波长出现模式竞争,此后出现双波长激射现象。双波长峰值强度接近时VECSEL激光输出功率达到359 mW,激光波长分别位于954.2 nm和1001.2 nm,在该位置附近VECSEL的输出功率曲线呈现明显的二次阈值现象。当泵浦功率持续增加,激光输出波长变为腔模波长激射,激光波长位于1002.4 nm。在单波长及双波长工作状态下VECSEL的光斑形貌均为高斯形貌的圆形对称激光光束,激光光束发散角半角由5.7°增加到7.9°。这种单芯片双波长输出VECSEL方案未来在抗干扰激光雷达以及频率转换太赫兹激光等方面有着很好的应用潜力。

关 键 词:双波长面发射激光器  模式竞争  激光雷达  频率转换
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