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Sb,In,P掺杂对SnO_2薄膜透明导电性能的影响(英文)
引用本文:闫军锋,张志勇,赵武,邓周虎,王雪文.Sb,In,P掺杂对SnO_2薄膜透明导电性能的影响(英文)[J].光子学报,2007(Z1).
作者姓名:闫军锋  张志勇  赵武  邓周虎  王雪文
作者单位:西北大学信息科学与技术学院,西北大学信息科学与技术学院,西北大学信息科学与技术学院,西北大学信息科学与技术学院,西北大学信息科学与技术学院 西安 710069,西安 710069,西安 710069,西安 710069,西安 710069
基金项目:Supported by Natural Science Foundation of Shaanxi Province(2005F39)
摘    要:采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜,优化了制备工艺参数,获得了最佳制备条件,研究表明,4%的铟掺杂有效地改善了薄膜的内部结构,使得紫外-可见光的透过率显著增加;7%的锑掺杂释放出了更多的载流子,使薄膜的方块电阻降低,2%的磷掺杂因准连续杂质能带的形成进一步提高了薄膜的电导率.Sb、In、P的掺入使得SnO2薄膜的紫外-可见光的透过率达83%,方块电阻达38Ω/□

关 键 词:Sol-Gel  掺杂  二氧化锡  透明导电薄膜

Influence of doped Sb, In, P on Transparent and Conducting Characteristics of Thin Film of SnO_2
YAN Jun-feng,ZHANG Zhi-yong,DENG Zhou-hu,ZHAO Wu,WANG Xue-wen.Influence of doped Sb, In, P on Transparent and Conducting Characteristics of Thin Film of SnO_2[J].Acta Photonica Sinica,2007(Z1).
Authors:YAN Jun-feng  ZHANG Zhi-yong  DENG Zhou-hu  ZHAO Wu  WANG Xue-wen
Abstract:
Keywords:Sol-gel technique  Doping  SnO2  Transparent and conducting film
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