| 8～12GHz低噪声PHEMT单片集成电路 |
| |
| 引用本文： | 丁奎章,于玲莉,何庆国.8～12GHz低噪声PHEMT单片集成电路[J].微纳电子技术,1998(3). |
| |
| 作者姓名： | 丁奎章 于玲莉 何庆国 |
| |
| 作者单位： | 电子工业部第十三研究所 |
| |
| 摘 要： | 描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ
|
| 关 键 词： | 低噪声 T形栅 PHEMT单片集成电路 |
8～12GHz Low Noise PHEMT MMIC |
| |
| Ding Kuizhang,Yu Lingli,He Qingguo.8～12GHz Low Noise PHEMT MMIC[J].Micronanoelectronic Technology,1998(3). |
| |
| Authors: | Ding Kuizhang Yu Lingli He Qingguo |
| |
| Abstract: | This paper reports the design and fabrication of a 8￣12GHz broadband low noise PHEMT MMIC.The excellent performances are as follows:f=8￣12GHz,G a=17 4～19 5db,F n=1 84～2 20dB;f=8￣14GHz,G a=17 4～19 9dB,F n=1 84～2 5dB; |
| |
| Keywords: | Low nosie T type gate PHEMT MMIC |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
