光测磁共振及其在研究Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的应用

光测磁共振技术是一种研究半导体中的杂质缺陷的有效工具,它可以提供有关杂质缺陷的电子结构及与辐射复合过程的关系的信息。这篇文章对光测磁共振的原理和技术进行了讨论,着重评述了最近几年来新的认识和进展。对光测磁共振技术在Ⅲ-V族半导体材料的辐射过程的研究中的应用也进行了评述,比较详细地介绍了对l_np:M_n及G_ap:O的研究工作。