| 低能电子在固体表面背散射系数的直接Monte Carlo方法模拟 |
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| 引用本文： | 卓俊,牛胜利,黄流兴,朱金辉. 低能电子在固体表面背散射系数的直接Monte Carlo方法模拟[J]. 计算物理, 2009, 26(4): 586-590 |
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| 作者姓名： | 卓俊 牛胜利 黄流兴 朱金辉 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,陕西,西安,710024;西北核技术研究所,陕西,西安,710024;西北核技术研究所,陕西,西安,710024;西北核技术研究所,陕西,西安,710024 |
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| 摘 要： | 应用单次碰撞的直接Monte Carlo方法计算能量范围从100 eV~10 keV的电子在固体Al,Si,Au表面的背散射系数,其中低能电子在固体中的弹性散射和非弹性散射截面分别应用Mott散射截面和Born近似下的广义振子强度计算模型得到.通过与压缩历史Monte Carlo方法的模拟计算结果及实验值的比较,结果表明,对于100 eV~10 keV范围的低能区电子,采用直接方法计算得到的电子背散射系数与实验值符合较好,直接方法比压缩历史方法更适合于能量在10 keV以下的电子输运计算.
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| 关 键 词： | 低能电子 背散射系数 直接Monte.carlo方法 压缩历史Monte.Carlo方法 |
| 收稿时间： | 2007-12-14 |
| 修稿时间： | 2008-11-30 |
Detailed Monte Carlo Simulation of Low Energy Electron Backscattering from Solids |
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| ZHUO Jun,NIU Shengli,HUANG Liuxing,ZHU Jinhui. Detailed Monte Carlo Simulation of Low Energy Electron Backscattering from Solids[J]. Chinese Journal of Computational Physics, 2009, 26(4): 586-590 |
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| Authors: | ZHUO Jun NIU Shengli HUANG Liuxing ZHU Jinhui |
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| Affiliation: | Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi'an 710024, China |
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| Abstract: | Backscattering coefficients of low energy electron beams(from 100 eV to(10 000) eV) impinging on solids(Au,Si and Al) are simulated with detailed Monte Carlo code in which all interaction experienced by single electron are simulated in chronological succession.Mott cross-section and atomic generalized-oscillator-strength model within Born approximation are used to calculate elastic and inelastic scatterings in solid,respectively.Compared with various Monte Carlo codes it is concluded that detailed Monte Car... |
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| Keywords: | low energy electrons backscattering coefficient detailed Monte Carlo simulation condensed-history Monte Carlo simulation |
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