种晶表面粗糙度及边部形态对MPCVD法生长单晶金刚石的影响 |
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引用本文: | 廖佳,陈美华,吴改,刘剑红,孟国强.种晶表面粗糙度及边部形态对MPCVD法生长单晶金刚石的影响[J].人工晶体学报,2015(2):316-322,328. |
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作者姓名: | 廖佳 陈美华 吴改 刘剑红 孟国强 |
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作者单位: | 中国地质大学(武汉)珠宝学院;中国地质大学(武汉)地球科学学院 |
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摘 要: | 针对种晶的表面粗糙度和边部形态对MPCVD法生长金刚石单晶的影响进行了研究。结果表明,当样品表面粗糙度Ra值达到0.0066μm时,单晶金刚石沉积层已经可以呈现出较高的结晶质量。当表面粗糙度Ra值达到0.0162μm后,种晶的中心区域受到的影响较小,但种晶边缘区域的沉积却受到了较明显的影响。研究边部形态的实验中,在同一种晶的不同区域抛磨出45°边棱和90°边棱,生长后分别对这两个区域进行了拉曼光谱测试,测试结果表明,90°边棱处1332 cm-1金刚石本征峰的半高宽较小,沉积层质量较好,初步推测90°是更适合的种晶边棱角度。
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关 键 词: | 单晶金刚石 种晶 表面粗糙度 边部形态 |
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