| 直接沉淀法制备纳米氧化铈及其抛光硅晶片的性能与影响因素 |
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| 引用本文： | 李艳花,傅毛生,危亮华,周雪珍,周新木,李永绣. 直接沉淀法制备纳米氧化铈及其抛光硅晶片的性能与影响因素[J]. 中国稀土学报, 2010, 28(3) |
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| 作者姓名： | 李艳花 傅毛生 危亮华 周雪珍 周新木 李永绣 |
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| 作者单位： | 南昌大学稀土与微纳功能材料研究中心,化学系,江西,南昌,330031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，江西省主要学科学术带头人计划，省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以硝酸铈为原料,十二烷基苯磺酸钠为分散剂,过氧化氢为氧化剂,氨水为沉淀剂,采用直接沉淀法制备了粒径分布均匀的纳米氧化铈粉体,并通过XRD,TEM等手段对粉体进行了表征。采用所制备的氧化铈粉体配置成抛光浆料对硅片进行抛光,研究了浆料pH值、固含量及过氧化氢浓度对n型半导体硅晶片(111)晶面抛光性能的影响。确定了最佳的抛光条件为:pH值10.5,含固量为0.5%,过氧化氢体积分数为1.5%,此时的抛光速率为61.1 nm.min-1,所抛光的硅晶片的表面粗糙度为0.148 nm。
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| 关 键 词： | 纳米CeO2粉体 化学机械抛光 材料去除速率 硅晶片 稀土 |
Preparation of Ceria Nanoparticles Using Direct Precipitate Method and Factors Influencing on Polishing Performance for Silicon Wafer |
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| Li Yanhua,Fu Maosheng,Wei Lianghua,Zhou Xuezhen,Zhou Xinmu,Li Yongxiu. Preparation of Ceria Nanoparticles Using Direct Precipitate Method and Factors Influencing on Polishing Performance for Silicon Wafer[J]. Journal of the Chinese Society of Rare Earths, 2010, 28(3) |
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| Authors: | Li Yanhua Fu Maosheng Wei Lianghua Zhou Xuezhen Zhou Xinmu Li Yongxiu |
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