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| 1.25μm InGaAsP光电阴极的研究 | |
| 作者姓名： | 李晋闽 郭里辉 张工力 王存让 候洵 |
| 作者单位： | 中国科学院西安光机所 710068(李晋闽，郭里辉，张工力，王存让)，中国科学院西安光机所 710068(候洵) |
| 摘 要： | 使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的光电成像器件在光纤通讯、医学、夜视以及其它科研领域有着广泛的用途。其核心部件是二元、三元或四元化合物半导体材料光电阴极。国外在对阈波长为0.9μm的GaAs负电 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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