| 相变型半导体存储器研究进展 |
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| 引用本文： | 刘波,宋志棠,封松林. 相变型半导体存储器研究进展[J]. 物理, 2005, 34(4): 279-286 |
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| 作者姓名： | 刘波 宋志棠 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302720,2004AA302G20)，上海市纳米科技与产业发展促进中心(批准号:0352nm016,0452nm012)，中国博士后基金(批准号:2003034308)，中国科学院王宽诚博士后基金，中国科学院创新基金，基础研究项目前沿课题(批准号:2001 |
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| 摘 要： | 文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题．C—RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点，被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品．
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| 关 键 词： | 半导体存储器 相变型 研究进展 抗电子干扰 FLASH 相变材料 结构设计 非易失性 工艺问题 研究现状 循环寿命 多级存储 耐高低温 制造工艺 SRAM DRAM 抗辐照 抗振动 器件 |
Phase-change semiconductor memories |
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| LIU Bo,SONG Zhi-Tang,FENG Song-Lin. Phase-change semiconductor memories[J]. Physics, 2005, 34(4): 279-286 |
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| Authors: | LIU Bo SONG Zhi-Tang FENG Song-Lin |
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| Abstract: | A review is presented of phase-change semiconductor memories, including their principle of operation, major advantages, device structure design, phase-change materials, current research and key fabrication techniques. Due to its advantages of nonvolatility, high cycling capability, small cell size, low cell energy consumption, multilevel storage, high read rate, superior radiation/vibration/electron-disturbance tolerance, superior high/low temperature tolerance and simple cell structure with high scalability, C-RAMs have the highest potential to replace all kinds of current memory devices such as flash memories, dynamic random access memories, and static random access memories in the future. |
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| Keywords: | phase-change semiconductor memory phase-change material device design failure of device |
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