| 碳化硅表面的外延Graphene |
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| 引用本文： | 吴孝松. 碳化硅表面的外延Graphene[J]. 物理, 2009, 38(6) |
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| 作者姓名： | 吴孝松 |
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| 作者单位： | 佐治亚理工大学物理系,亚特兰大,30332,美国 |
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| 摘 要： | Graphene具有优异的电学性质,是非常有前途的纳米电子材料,有希望替代硅成为下一代集成电路材料,尽管目前有很多种制备Graphene的方法,但就Graphene在将来集成电路方面的应用而言,在碳化硅上的外延生长法最具潜力,文章首先从Graphene的能带结构开始,简单介绍为什么Graphene具有诸多优异的电学性质,比如异常霍尔效应、室温下的高迁移率、碳纳米管的弹道输运等,然后介绍这种外延生长方法及其发展现状,通过比较在不同碳化硅晶面和在不同条件下生长的Graphene的表面形貌,得出结论,在加热炉内,生长在碳化硅晶体碳面的Graphene拥有特别高的质量,最后文章着重讨论对碳面Graphene的电学表征实验,这些实验证明这种材料中的电子是狄拉克电子,同时也发现材料具有优异的电学性质.
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| 关 键 词： | 外延Graphene 碳化硅 狄拉克电子 手性 纳米电子学 |
Epitaxial Graphene on SiC |
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| WU Xiao-Song. Epitaxial Graphene on SiC[J]. Physics, 2009, 38(6) |
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| Authors: | WU Xiao-Song |
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