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| 硅埋置型毫米波系统级封装中光敏BCB工艺改进 | |
| 引用本文： | 陈雯芳,孙浩,方针,孙晓玮.硅埋置型毫米波系统级封装中光敏BCB工艺改进[J].电子器件,2017,40(2). |
| 作者姓名： | 陈雯芳 孙浩 方针 孙晓玮 |
| 作者单位： | 上海大学 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 摘 要： | 硅埋置型毫米波系统级封装中，传统光敏BCB工艺常在沟槽处引入气泡及凹陷，导致上层金属线不连续。为减少气泡与凹陷的产生，提出一种新型涂覆工艺——“双型三次涂覆工艺”，即在使用大厚度BCB的基础上，引入低粘滞性BCB，并三次涂覆BCB。采用此工艺对Ka波段低噪声放大器进行封装，发现气泡数量及凹陷程度大大减小，证明了此工艺的可行性及有效性。在25~37GHz频段内，封装后比封装前增益减少1dB，满足高性能封装要求。 |
| 关 键 词： | 系统级封装 气泡缺陷 双型三次涂覆 毫米波 硅埋置 |
The improvement for photo-BCB progress in silicon based embedding millimeter-wave System-in-Package technology |
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| Abstract: | |
| Keywords: | SIP Air bubbles and depressions The Double-Type Three-Coating Method Millimeter Silicon-based embedded |
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