| 一种MEMS开关驱动电路的设计 |
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| 引用本文： | 孙俊峰,朱健,李智群,郁元卫,钱可强. 一种MEMS开关驱动电路的设计[J]. 电子器件, 2017, 40(2) |
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| 作者姓名： | 孙俊峰 朱健 李智群 郁元卫 钱可强 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | 静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压，大多数射频前端系统很难直接提供，因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片，以满足MEMS开关的实用化需要。本文基于200V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路，采用低击穿电压的Cockcroft-Walton电荷泵结构，结合特有的Trench工艺使电路的性能大大提高。仿真结果显示驱动电路在5V电源电压、0.2pF电容和1GΩ电阻并联负载下，输出电压达到82.7V，满足大多数MEMS开关对高驱动电压的需要。
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| 关 键 词： | MEMS开关、SOI、电荷泵、升压倍数、Trench工艺 |
Design of Driving Circuit for MEMS Switch |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS switch SOI Charge Pump step-up ratio Trench process |
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