| L波段GaN自偏压功率放大器 |
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| 引用本文： | 李 飞,钟世昌.L波段GaN自偏压功率放大器[J].太赫兹科学与电子信息学报,2018,16(5):918-920. |
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| 作者姓名： | 李 飞 钟世昌 |
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| 作者单位： | Nanjing Electronic Devices Institute，Nanjing Jiangsu 210016，China and Nanjing Electronic Devices Institute，Nanjing Jiangsu 210016，China |
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| 摘 要： | 介绍了一款L波段自偏压内匹配功率放大器。器件采用0.25 μm工艺GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯，内匹配技术对单胞管芯进行输入输出匹配，放大器的工作频带范围为1.2~1.4 GHz。采用自偏压技术，单电源供电，使电路更为简洁，使用方便。工作电压为28 V，占空比为10%，脉宽为300 μs，在输入功率为26 dBm时，频带内输出功率在40 dBm以上，功率附加效率大于60%，充分显示了GaN功率器件在单电源模块中的性能优势。
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| 关 键 词： | 氮化镓(GaN) 自偏压 内匹配 |
| 收稿时间： | 2017/12/28 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/4/4 0:00:00 |
L-band GaN self-bias power amplifier |
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| LI Fei and ZHONG Shichang.L-band GaN self-bias power amplifier[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2018,16(5):918-920. |
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| Authors: | LI Fei and ZHONG Shichang |
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| Keywords: | |
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