| 对基于磁控溅射方法沉积的HfO2薄膜的紫外光学特性及薄膜结构的研究 |
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| 引用本文： | 孙存志,洪荣墩,陈夏平,蔡加法,吴正云. 对基于磁控溅射方法沉积的HfO2薄膜的紫外光学特性及薄膜结构的研究[J]. 化学物理学报, 2018, 31(6): 813-817 |
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| 作者姓名： | 孙存志 洪荣墩 陈夏平 蔡加法 吴正云 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理科学与技术学院，厦门 361005；厦门大学九江研究院，九江 332000；厦门大学，福建省半导体材料与应用重点实验室，厦门 361005,厦门大学物理科学与技术学院，厦门 361005；厦门大学九江研究院，九江 332000；厦门大学，福建省半导体材料与应用重点实验室，厦门 361005,厦门大学物理科学与技术学院，厦门 361005；厦门大学九江研究院，九江 332000；厦门大学，福建省半导体材料与应用重点实验室，厦门 361005,厦门大学物理科学与技术学院，厦门 361005；厦门大学九江研究院，九江 332000；厦门大学，福建省半导体材料与应用重点实验室，厦门 361005,厦门大学物理科学与技术学院，厦门 361005；厦门大学九江研究院，九江 332000；厦门大学，福建省半导体材料与应用重点实验室，厦门 361005 |
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| 摘 要： | 本文基于磁控溅射方法，功率从160 W增加到240 W，在石英衬底上沉积氧化铪薄膜(HfO2)，并对沉积后的薄膜进行退火处理. 利用X射线衍射谱、X射线光电子能谱、紫外-可见-近红外透射谱和椭圆偏振仪对HfO2薄膜进行研究，对比了退火前后HfO2薄膜的光学特性及薄膜结构的变化. 实验结果显示，HfO2薄膜对波长大于200 nm的入射光具有很低的吸收系数. 优化退火温度和时间，可以将沉积后的HfO2薄膜从非晶态转化成多晶态. 退火有助于结晶生成和内应力的增加，同时退火可以优化薄膜的化学计量比，提升薄膜的光学密度及折射率. 对功率在220 W左右沉积的薄膜进行退火，获得的HfO2薄膜具有较高并且稳定的光学折射率(>2)和紫外光透射率，可在紫外波段减反膜系统中得到应用.
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| 关 键 词： | 薄膜，光学材料，溅射，X射线衍射 |
| 收稿时间： | 2018-06-11 |
Ultraviolet Optical Properties and Structural Characteristics of Radio Frequency-Deposited HfO2 Thin Films |
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| Cun-zhi Sun,Rong-dun Hong,Xia-ping Chen,Jia-fa Cai and Zheng-yun Wu. Ultraviolet Optical Properties and Structural Characteristics of Radio Frequency-Deposited HfO2 Thin Films[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2018, 31(6): 813-817 |
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| Authors: | Cun-zhi Sun Rong-dun Hong Xia-ping Chen Jia-fa Cai Zheng-yun Wu |
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| Keywords: | Thin films Optical materials Sputtering X-ray diffraction |
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