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| 硅中离子注入层的红外瞬态退火及其浅结的制备 | |
| 引用本文： | 范永平,罗晋生.硅中离子注入层的红外瞬态退火及其浅结的制备[J].半导体技术,1987(2). |
| 作者姓名： | 范永平 罗晋生 |
| 作者单位： | 西安交通大学 (范永平)，西安交通大学(罗晋生) |
| 摘 要： | 本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂质再分布小等优点.对于注入剂量为1×10~(15)As~+cm~(-2)的样品和3.6×10~(14)B~+cm~(-2)的样品,经红外瞬态退火后电激活率分别达到了90%和95%.用红外瞬态退火样品制作的台面管的反向漏电流,在相同的测试条件下,只是常规热退火样品的一半左右.对于通过650(?)SiO_2膜,25keV、5×10~(14)cm~(-2)剂量的硼离子注入样品,经红外瞬态退火后得到了结深分0.20μm的浅结. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |