| 垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析 |
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| 引用本文： | 刘志强,王良臣,伊晓燕,郭恩卿,王国宏,李晋闽.垂直结构GaN基LEDs热压键合应力损伤分析[J].半导体技术,2009,34(10). |
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| 作者姓名： | 刘志强 王良臣 伊晓燕 郭恩卿 王国宏 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中科院半导体所照明研发中心,北京,100083;中科院半导体所照明研发中心,北京,100083;中科院半导体所照明研发中心,北京,100083;中科院半导体所照明研发中心,北京,100083;中科院半导体所照明研发中心,北京,100083;中科院半导体所照明研发中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,通过TEM,PL,Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED光电特性的退化机制,探讨应力损伤对垂直结构GaN基LED光电特性的影响.实验结果表明,热压键合过程会在GaN材料内产生GPa量级的残余应力,在量子限制strark效应作用下,GaN材料辐射复合效率发生明显退化;同时热压键合应力还会诱发GaN材料位错密度的增加,最终导致LED反向漏电增大.
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| 关 键 词： | 热压键合 氮化镓 应力损伤 反向漏电 |
Stress Damage on Vertical Structure GaN-Based LEDs |
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| Liu Zhiqiang,Wang Liangchen,Yi Xiaoyan,Guo Enqing,Wang Guohong,Li Jinmin.Stress Damage on Vertical Structure GaN-Based LEDs[J].Semiconductor Technology,2009,34(10). |
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| Authors: | Liu Zhiqiang Wang Liangchen Yi Xiaoyan Guo Enqing Wang Guohong Li Jinmin |
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