| 动力学研究AlN/α-Al2O3(0001)薄膜生长初期的吸附与扩散 |
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| 引用本文： | 杨春,冯玉芳,余毅.动力学研究AlN/α-Al2O3(0001)薄膜生长初期的吸附与扩散[J].物理学报,2009,58(5). |
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| 作者姓名： | 杨春 冯玉芳 余毅 |
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| 作者单位： | 1. 可视化计算与虚拟实现四川省重点实验室,四川师范大学,成都,610068;电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学,成都,610054
2. 可视化计算与虚拟实现四川省重点实验室,四川师范大学,成都,610068
3. 四川师范大学学报编辑部自然科学版,成都,610068 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，四川省青年科技基金 |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,计算了300-800℃下AlN吸附过程与系统能量、动力学轨迹以及扩散系数.研究表明,吸附过程由物理吸附、化学吸附和表面稳定态三个阶段组成,在吸附成键过程中,温度越高,粒子平均表面扩散能力增强.N原子的扩散系数大于Al原子的扩散系数,尤其是在物理吸附阶段.在较高温度条件下(大于700℃),N的解吸附作用明显增强,不利于AlN的稳定吸附生长,500-700℃之间的温度有利于AlN在α-Al2O3(0001)表面的稳定吸附生长.
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| 关 键 词： | α-Al2O3(0001)表面 扩散 吸附生长 从头计算分子动力学 |
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