复合双外腔半导体激光器 |
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作者姓名: | 霍玉晶 许知止 |
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作者单位: | 清华大学无线电电子学系(霍玉晶,许知止),清华大学无线电电子学系(周炳琨) |
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摘 要: | 本文首次提出改进外腔半导体激光器性能必须同时满足两个条件:(1)振荡模要有最大的净增益;(2)振荡模与其相邻纵模间的净增益差足够大。据此理论研制成复合双外腔半导体激光器,首次在无任何反馈控制条件下实现了单模稳定运转时间大于24h、同一单模运转注入电流范围提高二个数量级,输出功率提高一个量级,其它各项性能也均有大幅度提高。
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关 键 词: | 激光器 半导体 双外腔 复合 |
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