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α-Mg3Sb2的电子结构和力学性能
作者姓名:余伟阳  唐壁玉  彭立明  丁文江
作者单位:(1)上海交通大学材料科学与技术学院,轻合金精密成型国家工程研究中心,上海 200030; (2)湘潭大学材料与光电物理学院,低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭 411105; (3)湘潭大学材料与光电物理学院,低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭 411105;广西大学化学与化工学院,南宁 530004
基金项目:国家自然科学基金(批准号:50861002)、湖南省自然科学基金(批准号:08JJ6001)、材料设计与制备技术湖南省重点实验室开放课题(批准号:KF0803)和广西大学科研基金(批准号:X071117)资助的课题.
摘    要:运用第一性原理研究了Mg-Sb合金中典型沉淀相α-Mg3Sb2的几何、电子结构和力学性能.结构优化得到的晶格常数和形成能与实验值符合很好.电子结构分析表明,具有半导体性质的α-Mg3Sb2带隙为0.303 eV,是间接带隙半导体.通过计算得到了α-Mg3Sb2的弹性常数,进而得到模量、泊松比等力学参数,对力学参数进行分析发现,α-Mg3Sb2有很好的延展性而塑性相对较差.通过对α-Mg3Sb2施加应变前后态密度的变化分析,发现对于六角结构的α-Mg3Sb2,与剪切模量相关的C11+C12,C33/2和与体模量相关的C11+C12+2C13+C33/2对体积变化不保守,而(C11-C12)/4和C44对体积变化保守.关键词:3Sb2')" href="#">α-Mg3Sb2第一性原理电子结构力学性能

关 键 词:α-Mg3Sb2  第一性原理  电子结构  力学性能
收稿时间:2008-12-20
修稿时间:2009-01-06
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