| 基于CMOS工艺的双层非制冷热敏电阻型红外探测器 |
| |
| 引用本文： | 申宁,余隽,黄正兴,唐祯安.基于CMOS工艺的双层非制冷热敏电阻型红外探测器[J].光电子．激光,2014(5):845-850. |
| |
| 作者姓名： | 申宁 余隽 黄正兴 唐祯安 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学 电子科学与技术学院,辽宁 大连 116023;大连理工大学 电子科学与技术学院,辽宁 大连 116023;大连理工大学 电子科学与技术学院,辽宁 大连 116023;大连理工大学 电子科学与技术学院,辽宁 大连 116023 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61131004,6)资助项目 (大连理工大学 电子科学与技术学院,辽宁 大连 116023) |
| |
| 摘 要： | 采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本双层非制冷热敏电阻型红外探测器。探测器采用隐藏桥腿式微桥结构,使用表面牺牲层技术实现,其中包括Al、W和Si3种牺牲层材料。CMOS工艺加工完成后,双层微桥结构的微机械加工过程只需进行湿法腐蚀即可,成本较低。对双层红外探测器的热性能和光电特性进行测试,其热导为1.96×10-5 W/K,热容为2.23×10-8 J/K,热时间常数为1.14ms。当红外辐射调制频率为10Hz时,双层红外探测器的电压响应率为2.54×104 V/W,探测率为1.6×108 cm·Hz1/2/W。
|
| 关 键 词： | CMOS红外探测器 非制冷红外探测器 低成本红外探测器 多牺牲层 双层红外探测器 |
| 收稿时间： | 2013/10/29 0:00:00 |
A double-layer uncooled thermistor infrared detector based on standard CMOS technology |
| |
| Institution: | College of Electronic Science and Technology,Dalian University of Technology,Dalian 116023,China;College of Electronic Science and Technology,Dalian University of Technology,Dalian 116023,China;College of Electronic Science and Technology,Dalian University of Technology,Dalian 116023,China;College of Electronic Science and Technology,Dalian University of Technology,Dalian 116023,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CMOS infrared detector uncooled infrared detector low-cost infra red detector multi-sacrificial layers double-layer infrared detector |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《光电子．激光》下载免费的PDF全文 |
|
