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| InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率 | |
| 作者姓名： | 潘留仙 刘金龙 李树深 牛智川 封松林 郑厚植 |
| 作者单位： | (1)湖南益阳师范高等专科学校， ,湖南 413049 ,中国;(2)中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室, ,北京 100083 ,中国;(3)中国科学院上海冶金研究所， ,上海 200050 ,中国 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 19974043)和中国科学院百人计划资助项目 |
| 摘 要： | 在有效质量包络函数理论近似下, 计算了InAs/GaAs量子点的参数相图，确切定义了InAs/GaAs量子点的参数的范围,使得该量子点能作为二能级量子系统用于量子计算；发现静电场能够有效延长消相干时间，当外加静电场超过20 kV/cm时，消相干时间能够达到毫秒量级. 这些结果有助于未来实现固态量子计算. |
| 关 键 词： | 量子计算 消相干 量子点 |
| 收稿时间： | 2001-09-05 |
| 修稿时间： | 2001-09-05 |
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