|
|||||
|
|
| Ge单晶(111)面上Au/Ga膜的高温行为 | |
| 引用本文： | 徐力,范成高,元洁,吴自勤.Ge单晶(111)面上Au/Ga膜的高温行为[J].电子显微学报,1985(1). |
| 作者姓名： | 徐力 范成高 元洁 吴自勤 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学，中国科学技术大学，中国科学技术大学，中国科学技术大学 |
| 摘 要： | 蒸镀在Ge单晶(111)面上的Au/Ga膜,在氢气氛中,分别在200℃,260℃,310℃,360℃和450℃下加热。用SEM观察发现1000(?)左右的Ga膜可以抑制Au/Ga膜的缩聚。而具有200A左右Ga的Au/Ga膜在450℃加热时形成Au-Ga-Ge三元液态共晶。Ge单晶被液态共晶浸蚀,並且合金膜发生缩聚。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |