| 193 nm光刻胶的研制 |
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| 引用本文： | 郑金红,黄志齐,陈昕,焦小明,杨澜,文武,高子奇,王艳梅.193 nm光刻胶的研制[J].影像科学与光化学,2005,23(4). |
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| 作者姓名： | 郑金红 黄志齐 陈昕 焦小明 杨澜 文武 高子奇 王艳梅 |
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| 作者单位： | 北京化学试剂研究所,北京,100022;北京化学试剂研究所,北京,100022;北京化学试剂研究所,北京,100022;北京化学试剂研究所,北京,100022;北京化学试剂研究所,北京,100022;北京化学试剂研究所,北京,100022;北京化学试剂研究所,北京,100022;北京化学试剂研究所,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺,合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂,进行了大量的配方研究,筛选出了最佳配方.研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0.1μm,最小曝光量为26mJ/cm2,不但具有优异的分辨率和光敏性,而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性.
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| 关 键 词： | 193 nm 光刻胶 单体 主体树脂 光致产酸剂 配方 |
The Study of 193 nm Photoresist |
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| ZHENG Jin-hong,HUANG Zhi-qi,CHEN Xin,JIAO Xiao-ming,YANG Lan,WEN Wu,GAO Zi-qi,WANG Yan-mei.The Study of 193 nm Photoresist[J].Imaging Science and Photochemistry,2005,23(4). |
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| Authors: | ZHENG Jin-hong HUANG Zhi-qi CHEN Xin JIAO Xiao-ming YANG Lan WEN Wu GAO Zi-qi WANG Yan-mei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 193 nm photoresist monomer matrix resin photo-acid generator formulation |
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