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| 退火对射频溅射法制备a-Si∶H∶Y合金薄膜结构和性质的影响 | |
| 引用本文： | 张德恒,王家俭,高汝伟,刘汝军.退火对射频溅射法制备a-Si∶H∶Y合金薄膜结构和性质的影响[J].中国稀土学报,1998,16(4). |
| 作者姓名： | 张德恒 王家俭 高汝伟 刘汝军 |
| 作者单位： | 山东大学物理系，山东建材学院 |
| 摘 要： | 对射频溅射法制备的ａＳｉ∶Ｈ∶Ｙ薄膜进行电子衍射、红外吸收和卢瑟福背散射测试，结果表明，退火可从以下几方面改变膜的结构和性质：使合金膜晶化，从非晶态向多晶或单晶态转化；改变原子间的键合状态，使某些ＳｉＨ键断裂，形成更多的ＳｉＹ键；Ｙ原子向Ｓｉ衬底方向扩散，使膜表面Ｙ的浓度降低，Ｓｉ∶Ｙ合金层厚度增大。 |
| 关 键 词： | 稀土，Si∶H∶Y合金，退火，红外吸收 |
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