Molecular-cluster studies of defects in silicon lattices |
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| Authors: | A. Amore-Bonapasta C. Battistoni A. Lapiccirella E. Semprini F. Stefani N. Tomassini |
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| Affiliation: | (1) Istituto di Teoria, Struttura Elettronica, Area della Ricerca di Roma, Via Salaria km 29.500, C.P. 10, 00016 Monterotondo scalo, Italia;(2) Comportamento Spettrochimico dei Composti di Coordinazione del C.N.R., Area della Ricerca di Roma, Via Salaria km 29.500, C.P. 10, 00016 Monterotondo Scalo, Italia;(3) Istituto di Metodologie Avanzate Inorganiche del C.N.R., Area della Ricerca di Roma, Via Salaria km 29.500, C.P. 10, 00016 Monterotondo Scalo, Italia |
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| Abstract: | Summary Anab initio HFR-MO-LCAO-SCF-CI study of the SiH n (n=1, 4) compounds has been carried out. The influence of the presence of silicon dangling bonds has been investigated in relation to the structural, vibrational and electronic behaviour of these molecules.
Riassunto Sono stati eseguiti calcoliab initio del tipo HFR-MO-LCAO-SCF-CI sui composti SiH n (n=1, 4). In particolare, è state investigata l’influenza che hanno i legami rotti generati nel silicio sulle proprietà strutturali, vibrazionali ed elettroniche delle monecole inquestine.
Резюме Проводится HFR-MO-LCAO-SCF-CI исследование соединений SiH n . (n=1, 4). В часности, изучается влияние силиконовых связей на структурное, колебательное и электронное поведение этих молекул. |
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| Keywords: | Specific calculations and results |
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