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| MOCVD法在GaAs衬底上生长CdTe的研究 | |
| 引用本文： | 杨臣华,陈记安,关振东,丁永庆,彭瑞伍.MOCVD法在GaAs衬底上生长CdTe的研究[J].激光与红外,1987(12). |
| 作者姓名： | 杨臣华 陈记安 关振东 丁永庆 彭瑞伍 |
| 作者单位： | 电子部11所，电子部11所，电子部11所，中科院上海冶金所，中科院上海冶金所 |
| 摘 要： | 本研究项目由电子部科技司下达。本工作是国内首次采用自行研制的MOCVD设备在GaAs和CdTe衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物——CdTe外延层。所采用的有机金属源——二甲基镉和二乙基碲及其包装鼓泡钢瓶,是化工部光明化工研究所首次研制成功的。 |
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